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ST330S12P0 PDF预览

ST330S12P0

更新时间： 2024-11-04 20:00:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 83K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-118, 3 PIN

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ST330S12P0 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-118
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：5.17
Is Samacsys：N标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：600 mA
JEDEC-95代码：TO-209AEJESD-30 代码：O-MUPM-H3
最大漏电流：50 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：9000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：330000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：225
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：520 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

ST330S12P0 数据手册

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Bulletin I25156 rev. C 03/03  
ST330S SERIES  
PHASE CONTROL THYRISTORS  
Stud Version  
Features  
Center amplifying gate  
Hermetic metal case with ceramic insulator  
International standard case TO-209AE (TO-118)  
330A  
Compression Bonded Encapsulation for heavy duty  
operations such as severe thermal cycling  
Typical Applications  
DC motor controls  
Controlled DC power supplies  
AC controllers  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
IT(AV)  
ST330S  
330  
Units  
A
@ TC  
75  
°C  
IT(RMS)  
ITSM  
520  
A
@ 50Hz  
@ 60Hz  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
9000  
9420  
405  
A
A
I2t  
KA2s  
KA2s  
370  
VDRM/VRRM  
400 to 2000  
100  
V
t
typical  
µs  
q
case style  
TO-209AE (TO-118)  
TJ  
- 40 to 125  
°C  
www.irf.com  
1
12345678

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与ST330S12P0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST330S12P0L VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1200V V(DRM)
ST330S12P0LPBF INFINEON

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 		暂无描述
ST330S12P0PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
ST330S12P0PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
ST330S12P1 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
ST330S12P1L VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1200V V(DRM)
ST330S12P1LPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
ST330S12P1PBF VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
ST330S12P3 VISHAY

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 		暂无描述
ST330S12P3LPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A

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