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ST330S12P1L

更新时间： 2024-11-04 20:00:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 330000mA I(T), 1200V V(DRM)

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ST330S12P1L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	标称电路换相断开时间：	100 µs
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	600 mA	最大漏电流：	50 mA
通态非重复峰值电流：	9000 A	最大通态电压：	1.5 V
最大通态电流：	330000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

ST330S12P1L 数据手册

Bulletin I25156 rev. C 03/03

ST330S SERIES

PHASE CONTROL THYRISTORS

Stud Version

Features

Center amplifying gate

Hermetic metal case with ceramic insulator

International standard case TO-209AE (TO-118)

330A

Compression Bonded Encapsulation for heavy duty

operations such as severe thermal cycling

Typical Applications

DC motor controls

Controlled DC power supplies

AC controllers

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_T(AV)

ST330S

330

Units

@ T_C

°C

I_T(RMS)

I_TSM

520

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

9000

9420

405

I²t

KA²s

370

V_DRM/V_RRM

400 to 2000

100

typical

µs

case style

TO-209AE (TO-118)

T_J

- 40 to 125

°C

www.irf.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ST330S12P1PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
ST330S12P3	VISHAY	获取价格	暂无描述
ST330S12P3LPBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
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