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ST330S12P1PBF

更新时间： 2024-11-05 10:36:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-118, 3 PIN

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ST330S12P1PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-118	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.32
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AE
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	520 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR

ST330S12P1PBF 数据手册

Bulletin I25156 rev. C 03/03

ST330S SERIES

PHASE CONTROL THYRISTORS

Stud Version

Features

Center amplifying gate

Hermetic metal case with ceramic insulator

International standard case TO-209AE (TO-118)

330A

Compression Bonded Encapsulation for heavy duty

operations such as severe thermal cycling

Typical Applications

DC motor controls

Controlled DC power supplies

AC controllers

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_T(AV)

ST330S

330

Units

@ T_C

°C

I_T(RMS)

I_TSM

520

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

9000

9420

405

I²t

KA²s

370

V_DRM/V_RRM

400 to 2000

100

typical

µs

case style

TO-209AE (TO-118)

T_J

- 40 to 125

°C

www.irf.com

12 3 4 5 6 7 8

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ST330S14F0PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A
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ST330S14M1L	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E
ST330S14M3PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A