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ST2001FX

更新时间： 2024-11-22 21:55:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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ST2001FX 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ISOWATT218FX, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ST2001FX 数据手册

ST2001FX

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE

FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.

COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

HIGH SWITCHING SPEED

TIGTHER hfe CONTROL

IMPROVED RUGGEDNESS

APPLICATIONS:

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TVS

OVER 21 INCHES AND 15 INCHES MONITORS

ISOWATT218FX

DESCRIPTION

The device is manufactured using Diffused

Collector technology for more stable operation Vs

base drive circuit variations resulting in very low

worst case dissipation.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

1500

600

Unit

CBO

Collector-Base Voltage (I = 0)

CEO

Collector-Emitter Voltage (I = 0)

Emitter-Base Voltage (I = 0)

EBO

Collector Current

Collector Peak Current (t < 5 ms)

Base Current

Total Dissipation at T = 25 °C

tot

Insulation Withstand Voltage (RMS) from All Three

Leads to External Heatsink

2500

ins

Storage Temperature

–65 to 150

150

°C

stg

Max. Operating Junction Temperature

October 2003

1/7

12 3 4 5 6 7

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