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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.87 |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JEDEC-95代码： | TO-200AB |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 最大漏电流： | 30 mA |
| 湿度敏感等级： | 1 | 通态非重复峰值电流： | 5800 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 385000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 770 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST200C10C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C12C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C14C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C16C | INFINEON |
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暂无描述 |
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| ST200N | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 60V V(DRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| ST200PG1SPGF | HONEYWELL |
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Stainless Steel Pressure Sensors |
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| ST200Q22 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-60D2A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| ST200S02M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S02P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
|
| ST200S04P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
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