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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.17 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 20 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 60 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST200PG1SPGF | HONEYWELL |
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Stainless Steel Pressure Sensors |
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| ST200Q22 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-60D2A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| ST200S02M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S02P | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S04P | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S06M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S06P | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S08M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
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| ST200S10P | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| ST200S12M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 320A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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