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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ISOWATT218, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST200AN | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 100V V(DRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| ST200BG1SPGF | HONEYWELL |
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Amplified output whicheliminates the cost of external amplifiers |
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| ST200C04C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
|
| ST200C06C | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
|
| ST200C08C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
|
| ST200C10C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C12C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C14C | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 770A I(T)RMS, 385000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
|
| ST200C16C | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| ST200N | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 60V V(DRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN |
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