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ST2001HI

更新时间： 2024-09-29 22:21:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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ST2001HI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ST2001HI 数据手册

ST2001HI

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

NEW SERIES, ENHANCHED

PERFORMANCE

FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY

MOUNTING

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

HIGH SWITCHING SPEED

TIGTHER hfe CONTROL

IMPROVED RUGGEDNESS

APPLICATIONS:

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR

TV AND MONITOR

ISOWATT218

DESCRIPTION

The ST2001HI is manufactured using Diffused

Collector technology for more stable operation

Vs base drive circuit variations resulting in very

low worst case dissipation.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1500

600

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/6

November 1999

12 3 4 5 6

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