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SST5461-E3

更新时间： 2024-10-27 19:22:55

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	66K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET

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SST5461-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SST5461-E3 数据手册

2N/SST5460 Series

Vishay Siliconix

P-Channel JFETs

2N5460

2N5461

2N5462

SST5460

SST5461

SST5462

PRODUCT SUMMARY

Part Number

V_GS(off)(V)

V_(BR)GSSMin (V)

g_fsMin (mS) I_DSSMin (mA)

2N/SST5460

2N/SST5461

2N/SST5462

0.75 to 6

1 to 7.5

1.8 to 9

1.5

–1

–2

–4

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D High Input Impedance

D Low Signal Loss/System Error

D Low-Current, Low-Voltage Amplifiers

D Very Low Noise

D High System Sensitivity

D High-Side Switching

D High Gain: A_V= 80 @ 20 mA

D Low Capacitance: 1.2 pF Typical

D High-Quality Low-Level Signal

D Ultrahigh Input Impedance

Amplification

Pre-Amplifiers

DESCRIPTION

The 2N/SST5460 series are p-channel JFETs designed to

provide all-around performance in a wide range of amplifier

and analog switch applications.

The 2N series, TO-226AA (TO-92), and SST series, TO-236

(SOT-23), plastic packages provide low cost options, and are

available in tape-and-reel for automated assembly, (see

Packaging Information).

TO-226AA

(TO-92)

TO-236

(SOT-23)

SST5460 (B0)*

SST5461 (B1)*

SST5462 (B2)*

2N5460

2N5461

2N5462

*Marking Code for TO-236

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V

Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –10 mA

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 150_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW

Notes

a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C

Document Number: 70262

S-04030—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

9-1

12 3 4 5 6

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与SST5461-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SST5461T	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
SST5461T2	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
SST5461TT1	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
SST5461TT1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST5461TT1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST5461TT2	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
SST5461TT2-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST5462	VISHAY	获取价格	P-Channel JFETs
SST5462-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET
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