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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-236, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST5485-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN, FET RF |
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| SST5485T | VISHAY |
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暂无描述 |
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| SST5485T1 | CALOGIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET |
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| SST5485-T1 | VISHAY |
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Transistor |
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| SST5485-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SST5485T2 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET |
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| SST5485T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST5485TT1 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST5485TT2 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST5486 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel JFETs |
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