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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST5485TT1 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST5485TT2 | TEMIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST5486 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel JFETs |
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| SST5486 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-2 |
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| SST5486-E3 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST5486T | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST5486-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SST5486-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SST5486T2 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET |
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| SST5486TT2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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