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SST39VF1602-70-4I-B3KE-T PDF预览

SST39VF1602-70-4I-B3KE-T

更新时间： 2024-11-29 14:36:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
34页 368K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC

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SST39VF1602-70-4I-B3KE-T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,32Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：5.55
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16部门数/规模：512
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
部门规模：2K最大待机电流：0.00002 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

SST39VF1602-70-4I-B3KE-T 数据手册

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Not recommended for new designs. Please use SST39VF1601C  
and SST39VF3201B.  
16 Mbit / 32 Mbit / (x16) Multi-Purpose Flash Plus  
SST39VF1601 / SST39VF3201  
SST39VF1602 / SST39VF3202  
A Microchip Technology Company  
Not Recommended for New Designs  
The SST39VF1601/1602 and SST39VF3201/3202 devices are 1M x16 and 2M  
x16, respectively, CMOS Multi-Purpose Flash Plus (MPF+) manufactured with  
SST's proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-  
gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and man-  
ufacturability compared with alternate approaches. The SST39VF1601/1602/  
3201/3202 write (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power supply. These devices  
conforms to JEDEC standard pinouts for x16 memories.  
Features  
• Organized as 1M x16: SST39VF1601/1602  
2M x16: SST39VF3201/3202  
• Security-ID Feature  
– SST: 128 bits; User: 128 bits  
• Single Voltage Read and Write Operations  
• Fast Read Access Time:  
– 2.7-3.6V  
– 70 ns  
• Superior Reliability  
• Latched Address and Data  
– Endurance: 100,000 Cycles (Typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Fast Erase and Word-Program:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)  
– Word-Program Time: 7 µs (typical)  
• Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)  
– Active Current: 9 mA (typical)  
– Standby Current: 3 µA (typical)  
– Auto Low Power Mode: 3 µA (typical)  
• Automatic Write Timing  
• Hardware Block-Protection/WP# Input Pin  
– Internal VPP Generation  
– Top Block-Protection (top 32 KWord)  
• End-of-Write Detection  
for SST39VF1602/3202  
– Bottom Block-Protection (bottom 32 KWord)  
for SST39VF1601/3201  
– Toggle Bits  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
• CMOS I/O Compatibility  
– Uniform 2 KWord sectors  
• JEDEC Standard  
• Block-Erase Capability  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– Uniform 32 KWord blocks  
• Packages Available  
• Chip-Erase Capability  
– 48-lead TSOP (12mm x 20mm)  
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)  
• Erase-Suspend/Erase-Resume Capabilities  
• Hardware Reset Pin (RST#)  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25028A  
08/11  
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与SST39VF1602-70-4I-B3KE-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39VF1602-70-4I-EK SST

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 		16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1602-70-4I-EKE SST

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 		16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1602-90-4C-B3K SST

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 		16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1602-90-4C-B3KE SST

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 		16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1602-90-4C-EK SST

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 		16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1602-90-4C-EKE SST

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