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SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T PDF预览

SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T

更新时间： 2024-11-29 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
39页 372K
描述
SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T

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SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55最长访问时间：70 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：8K,4K,16K,32K最大待机电流：0.00002 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T 数据手册

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16 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus  
SST39VF1601C / SST39VF1602C  
A Microchip Technology Company  
Data Sheet  
The SST39VF1601C / SST39VF1602C devices are 1M x16 CMOS Multi-Purpose  
Flash Plus (MPF+) manufactured with SST proprietary, high performance CMOS  
SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injec-  
tor attain better reliability and manufacturability compared with alternate  
approaches. The SST39VF1601C / SST39VF1602C write (Program or Erase)  
with a 2.7-3.6V power supply. These devices conforms to JEDEC standard pin-  
outs for x16 memories.  
Features  
• Organized as 1M x16: SST39VF1601C/1602C  
• Security-ID Feature  
– SST: 128 bits; User: 128 words  
• Single Voltage Read and Write Operations  
• Fast Read Access Time:  
– 2.7-3.6V  
– 70 ns  
• Superior Reliability  
• Fast Erase and Word-Program:  
– Endurance: 100,000 Cycles (Typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)  
– Word-Program Time: 7 µs (typical)  
• Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)  
– Active Current: 9 mA (typical)  
– Standby Current: 3 µA (typical)  
– Auto Low Power Mode: 3 µA (typical)  
• Automatic Write Timing  
– Internal VPP Generation  
• Hardware Block-Protection/WP# Input Pin  
• End-of-Write Detection  
– Top Block-Protection (top 8 KWord)  
– Bottom Block-Protection (bottom 8 KWord)  
– Toggle Bits  
– Data# Polling  
– Ready/Busy# Pin  
• Sector-Erase Capability  
– Uniform 2 KWord sectors  
• CMOS I/O Compatibility  
• Block-Erase Capability  
• JEDEC Standard  
– Flexible block architecture; one 8-, two 4-, one 16-, and  
thirty one 32-KWord blocks  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
• Chip-Erase Capability  
• Packages Available  
– 48-lead TSOP (12mm x 20mm)  
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)  
– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm)  
• Erase-Suspend/Erase-Resume Capabilities  
• Hardware Reset Pin (RST#)  
• Latched Address and Data  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS-25018A  
05/11  
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与SST39VF1602C-70-4C-B3KE-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39VF1602C-70-4C-EKE MICROCHIP

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 		1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48
SST39VF1602C-70-4C-EKE SILICON

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 		Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48
SST39VF1602C-70-4C-EKE-T MICROCHIP

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 		SST39VF1602C-70-4C-EKE-T
SST39VF1602C-70-4C-MAQE MICROCHIP

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 		1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-207CB
SST39VF1602C-70-4I-B3KE MICROCHIP

获取价格

 		1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-
SST39VF1602C-70-4I-B3KE SILICON

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 		Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
SST39VF1602C-70-4I-B3KE-T MICROCHIP

获取价格

 		IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
SST39VF1602C-70-4I-EKE SILICON

获取价格

 		Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48
SST39VF1602C-70-4I-EKE-T MICROCHIP

获取价格

 		SST39VF1602C-70-4I-EKE-T
SST39VF160-55-4C-B3K SST

获取价格

 		16 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash

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