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SST39VF040-70-4C-WHE PDF预览

SST39VF040-70-4C-WHE

更新时间： 2024-11-23 20:09:19
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 270K
描述
512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32, 8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142BA, TSOP1-32

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SST39VF040-70-4C-WHE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1, TSSOP32,.56,20针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：1.32Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.000015 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

SST39VF040-70-4C-WHE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040  
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040  
Data Sheet  
The SST39LF010, SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF010, SST39VF020,  
SST39VF040 are 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash  
(MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash  
technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain bet-  
ter reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The  
SST39LF010/020/040 devices write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power  
supply. The SST39VF010/020/040 devices write with a 2.7-3.6V power supply.  
The devices conform to JEDEC standard pinouts for x8 memories.  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Fast Erase and Byte-Program:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010  
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020  
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040  
• Single Voltage Read and Write Operations  
– 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040  
– 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040  
• Superior Reliability  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Automatic Write Timing  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
– Internal VPP Generation  
– Active Current: 5 mA (typical)  
– Standby Current: 1 µA (typical)  
• End-of-Write Detection  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
– Uniform 4 KByte sectors  
• CMOS I/O Compatibility  
• Fast Read Access Time:  
• JEDEC Standard  
– 55 ns for SST39LF010/020/040  
– 70 ns for SST39VF010/020/040  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
• Packages Available  
• Latched Address and Data  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2012 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25023B  
06/13  
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与SST39VF040-70-4C-WHE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39VF040-70-4C-WHE-RVL MICROCHIP

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32
SST39VF040-70-4C-WHE-RVL-T MICROCHIP

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32
SST39VF040-70-4C-WK SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-B3H SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-B3K SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-B3KE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-NH SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-NHE MICROCHIP

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 		512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-016AE, LCC-32
SST39VF040-70-4I-NHE SST

获取价格

 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF040-70-4I-NHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC

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