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SST38VF6401-90-5C-B3KE

更新时间： 2024-09-09 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
66页 7362K
描述
4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, TFBGA-48

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SST38VF6401-90-5C-B3KE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：2.05Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K
最大待机电流：0.00003 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

SST38VF6401-90-5C-B3KE 数据手册

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64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus  
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404  
The SST38VF6401/6402/6403/6404 are 4M x16 CMOS Advanced Multi-Purpose  
Flash Plus (Advanced MPF+) devices manufactured with proprietary, high-perfor-  
mance CMOS Super- Flash technology. The split-gate cell design and thick-oxide  
tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with  
alternate approaches. The SST38VF6401/6402/6403/6404 write (Program or  
Erase) with a 2.7-3.6V power supply. This device conforms to JEDEC standard  
pin assignments for x16 memories.  
Features  
• Organized as 4M x16  
• Fast Erase Times:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)  
• Single Voltage Read and Write Operations  
– 2.7-3.6V  
• Erase-Suspend/-Resume Capabilities  
• Superior Reliability  
– Endurance: 100,000 Cycles minimum  
– Greater than 100 years Data Retention3  
• Fast Word and Write-Buffer Programming Times:  
– Word-Program Time: 7 µs (typical)  
– Write Buffer Programming Time: 1.75 µs / Word (typical)  
- 16-Word Write Buffer  
• Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)  
– Active Current: 4 mA (typical)  
– Standby Current: 3 µA (typical)  
– Auto Low Power Mode: 3 µA (typical)  
• Automatic Write Timing  
– Internal VPP Generation  
• 128-bit Unique ID  
• End-of-Write Detection  
• Security-ID Feature  
– Toggle Bits  
– Data# Polling  
– RY/BY# Output  
– 256 Word, user One-Time-Programmable  
• Protection and Security Features  
• CMOS I/O Compatibility  
– Hardware Boot Block Protection/WP# Input Pin, Uni-  
form (32 KWord) and Non-Uniform (8 KWord) options  
available  
– User-controlled individual block (32 KWord) protection,  
using software only methods  
– Password protection  
• JEDEC Standard  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
• CFI Compliant  
• Hardware Reset Pin (RST#)  
• Packages Available  
– 48-lead TSOP  
– 48-ball TFBGA  
• Fast Read and Page Read Access Times:  
– 90 ns Read access time  
– 25 ns Page Read access times  
- 4-Word Page Read buffer  
• All devices are RoHS compliant  
• Latched Address and Data  
©2015-2017 Microchip Technology Inc  
DS20005015C  
 
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SST38VF6401-90-5C-B3KE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST38VF6401-90-5I-B3KE MICROCHIP

功能相似

 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-
SST38VF6401-90-5C-EKE MICROCHIP

功能相似

 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48

与SST38VF6401-90-5C-B3KE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST38VF6401-90-5C-EKE MICROCHIP

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 		4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48
SST38VF6401-90-5C-EKE-T MICROCHIP

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 		SST38VF6401-90-5C-EKE-T
SST38VF6401-90-5I-B3KE MICROCHIP

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 		4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-
SST38VF6401-90-5I-EKE MICROCHIP

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 		4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48
SST38VF6401B MICROCHIP

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 		64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
SST38VF6401B-70-5I-CD MICROCHIP

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 		64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
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 		FLASH 2.7V PROM
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