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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.084 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS15N06 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSS1N50A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SSS1N50B | FAIRCHILD |
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520V N-Channel MOSFET |
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| SSS1N60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-220F |
|
| SSS1N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSS-20-DC-03M | ETC |
获取价格 |
SWITCH SAFETY 2/NO 24VDC |
|
| SSS-20-QD | ETC |
获取价格 |
SAFETY SWITCH M12 6-PIN QUICK |
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| S-SS215B | LEIDITECH |
获取价格 |
Schottky diode for automotive applications |
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| S-SS220B | LEIDITECH |
获取价格 |
Schottky diode for automotive applications |
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| S-SS22B | LEIDITECH |
获取价格 |
Schottky diode for automotive applications |
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