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SSS2N60B

更新时间： 2024-01-31 05:53:32
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 858K
描述
600V N-Channel MOSFET

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SSS2N60B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSS2N60B 数据手册

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SSP2N60B/SSS2N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
2.0A, 600V, R  
= 5.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 12.5 nC)  
Low Crss ( typical 7.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Typical Characteristics  
D
G
TO-220  
SSP Series  
TO-220F  
SSS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSP2N60B  
SSS2N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.0  
1.3  
6.0  
2.0 *  
1.3 *  
6.0 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
120  
2.0  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.4  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
54  
23  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.43  
0.18  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
SSP2N60B  
SSS2N60B  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
2.32  
0.5  
5.5  
--  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
1234567...10

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