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SSS2N60A

更新时间： 2024-01-18 21:17:14

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	267K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSS2N60A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSS2N60A 数据手册

SSS2N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

R_DS(on)= 5 W

I_D= 1.3 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ V_DS= 600V

Lower R_DS(ON): 3.892 W (Typ.)

TO-220F

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25^o

Continuous Drain Current (T_C=100

Drain Current-Pulsed

Value

600

1.3

Units

V_DSS

)

^oC

I_D

)

0.82

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

138

1.3

2.3

3.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25^o

V/ns

)

P_D

T_J, T_STG

T_L

Linear Derating Factor

0.18

W/^o

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R _q

5.5

Junction-to-Case

^oC

R _q

62.5

Junction-to-Ambient

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SSS2N60B	FAIRCHILD	600V N-Channel MOSFET	获取价格
SSS2N80A	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 1.5A I(D) \| TO-220F	获取价格
SSS2N90	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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