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SSS1N50A

更新时间: 2024-11-04 20:14:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 215K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN

SSS1N50A 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220F
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.31
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):113 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1.2 A
最大漏极电流 (ID):1.2 A最大漏源导通电阻:5.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):23 W最大脉冲漏极电流 (IDM):5 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSS1N50A 数据手册

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