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SSS10N60A

更新时间： 2024-11-04 03:30:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
7页	263K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSS10N60A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	雪崩能效等级（Eas）：	709 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
最大漏极电流 (ID)：	5.1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSS10N60A 数据手册

SSS10N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

R_DS(on)= 0.8

I_D= 5.1 A

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220F

Lower Leakage Current : 25

(Max.) @ V_DS= 600V

Low R_DS(ON): 0.646 (Typ.)

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25

Continuous Drain Current (T_C=100

Drain Current-Pulsed

600

5.1

3.2

^oC

)

I_D

)

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

709

5.1

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

^oC

V/ns

3.0

Total Power Dissipation (T_C=25

Linear Derating Factor

)

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.4

W/^o

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R _q

2.5

Junction-to-Case

^oC

R _q

62.5

Junction-to-Ambient

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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