Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SSR2009MDB

SSR2009MDB

更新时间： 2024-11-08 13:14:03

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SSDI		/
页数	文件大小	规格书
2页	178K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SSR2009MDB 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.07
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	90 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SSR2009MDB 数据手册

SSR2008CTM, SSR2008CTZ

SSR2009CTM, SSR2009CTZ

SSR2010CTM, SSR2010CTZ

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

20 AMPS

100 VOLTS

Designer’s Data Sheet

CENTER TAP

FEATURES:

SCHOTTKY RECTIFIER

•

PIV: 100 Volts

Low Reverse Leakage Current

Low Forward Voltage Drop

TO-254

TO-254Z

Guard Ring for Overvoltage Protection

Isolated Hermetically Sealed Package

Available in Glass or Ceramic Seal Packages

Custom Lead Forming Available

Eutectic Die Attach

175^°C Operating Junction Temperature

TX, TXV, and Space Level Screening Available

Available in Given Voltage (2008, 2009, 2010) in the Following Configurations:

TO-254: SSR2010CTM, SSR2010CTMUB, SSR2010CTMDB, SSR2010CAM, SSR2010CAMUB, SSR2010CAMDB

SSR1010DM, SSR1010DMUB, SSR1010DMDB

TO-254Z: SSR2010CTZ, SSR2010CTZUB, SSR2010CTZDB, SSR2010CAZ, SSR2010CAZUB, SSR2010CAZDB

SSR1010DZ, SSR1010DZUB, SSR1010DZDB

MAXIMUM RATINGS ^1/

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage and

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

SSR2008CTM & CTZ

SSR2090CTM & CTZ

SSR2010CTM & CTZ

Volts

100

3/ 4/

Average Rectified Forward Current

I_O

Amps

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T_C= 25^°C)

3/ 4/

Peak Surge Current

I_FSM

300

Amps

^°C

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25^°C)

Operating and Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

T_OP& T_stg-65 to +175

Junction to Case ^3/

Junction to Case ^2/

1.0

^°C/W

R_θJC

1.7

NOTE:

1/ All Electrical Characteristics @25^°C, Unless Otherwise Specified.

2/ Per Leg.

3/ Pins 1 and 3 Connected Together.

4/ Doubler: I_O= 10A, I_FSM= 200A.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RS0075F

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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与SSR2009MDB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSR2009MDBS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MDBTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MDBTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MUB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MUBS	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MUBTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MUBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI

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