Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SSR2009MDBTX

SSR2009MDBTX

更新时间： 2024-11-08 13:14:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		/
页数	文件大小	规格书
2页	178K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SSR2009MDBTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.07
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	90 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SSR2009MDBTX 数据手册

SSR2008CTM, SSR2008CTZ

SSR2009CTM, SSR2009CTZ

SSR2010CTM, SSR2010CTZ

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

20 AMPS

100 VOLTS

Designer’s Data Sheet

CENTER TAP

FEATURES:

SCHOTTKY RECTIFIER

•

PIV: 100 Volts

Low Reverse Leakage Current

Low Forward Voltage Drop

TO-254

TO-254Z

Guard Ring for Overvoltage Protection

Isolated Hermetically Sealed Package

Available in Glass or Ceramic Seal Packages

Custom Lead Forming Available

Eutectic Die Attach

175^°C Operating Junction Temperature

TX, TXV, and Space Level Screening Available

Available in Given Voltage (2008, 2009, 2010) in the Following Configurations:

TO-254: SSR2010CTM, SSR2010CTMUB, SSR2010CTMDB, SSR2010CAM, SSR2010CAMUB, SSR2010CAMDB

SSR1010DM, SSR1010DMUB, SSR1010DMDB

TO-254Z: SSR2010CTZ, SSR2010CTZUB, SSR2010CTZDB, SSR2010CAZ, SSR2010CAZUB, SSR2010CAZDB

SSR1010DZ, SSR1010DZUB, SSR1010DZDB

MAXIMUM RATINGS ^1/

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage and

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

SSR2008CTM & CTZ

SSR2090CTM & CTZ

SSR2010CTM & CTZ

Volts

100

3/ 4/

Average Rectified Forward Current

I_O

Amps

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T_C= 25^°C)

3/ 4/

Peak Surge Current

I_FSM

300

Amps

^°C

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25^°C)

Operating and Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

T_OP& T_stg-65 to +175

Junction to Case ^3/

Junction to Case ^2/

1.0

^°C/W

R_θJC

1.7

NOTE:

1/ All Electrical Characteristics @25^°C, Unless Otherwise Specified.

2/ Per Leg.

3/ Pins 1 and 3 Connected Together.

4/ Doubler: I_O= 10A, I_FSM= 200A.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RS0075F

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

中文翻译

下载PDF

与SSR2009MDBTX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSR2009MDBTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MUB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009MUBS	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MUBTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SSR2009MUBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2009Z	SSDI	获取价格	20 AMPS 100 VOLTS CHOTTKY RECTIFER
SSR2009ZDB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC

与SSR2009MDBTX相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

45
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSR2009MDBTX

SSR2009MDBTX 技术参数

SSR2009MDBTX 数据手册

与SSR2009MDBTX相关器件

与SSR2009MDBTX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSR2009MDBTX

SSR2009MDBTX 技术参数

SSR2009MDBTX 数据手册

与SSR2009MDBTX相关器件

与SSR2009MDBTX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？