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SSM6N16FE(TPL3,F)

更新时间： 2024-02-22 13:14:38

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	132K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-563

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SSM6N16FE(TPL3,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SSM6N16FE(TPL3,F) 数据手册

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SSM6N16FE

(Q1, Q2 common)

– V

I – V

D GS

250

1000

100

Common source

2.5

2.3

Ta = 25°C

= 3 V

200

150

100

2.1

1.9

Ta = 100°C

25°C

−25°C

1.7

1.5

0.1

= 1.3 V

0.01

0.5

1.5

Drain-Source voltage

(V)

Gate-Source voltage

(V)

– I

– V

DS (ON)

DS (ON) GS

Common source

= 10 mA

Ta = 25°C

= 1.5 V

Ta = 100°C

25°C

2.5 V

4 V

−25°C

100

1000

Drain current

(mA)

Gate-Source voltage

(V)

– Ta

DS (ON)

Common source

= 0.1 mA

= 3 V

1.6

= 1.5 V, I = 1 mA

1.2

0.8

0.4

2.5 V, 10 mA

4 V, 10 mA

−25

100

125

150

−25

100

125

150

Ambient temperature Ta (°C)

2007-11-01

1 234 5

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