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SSM25G45EM

更新时间： 2024-11-03 06:14:23

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SSC		晶体晶体管栅
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4页	241K
描述
N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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SSM25G45EM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	湿度敏感等级：	1

SSM25G45EM 数据手册

SSM25G45EM

N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR

High input impedance

High peak current capability

4.5V gate drive

V_CE

450V

150A

I_CP

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

Rating

450

± 6

Units

V_CE

V_GE

V_GEP

I_CP

Pulsed Gate-Emitter Voltage

Pulsed Collector Current

Maximum Power Dissipation

Storage Temperature Range

± 8

150

2.5

P_D@ T_C=25°C¹

°C

T_STG

T_J

-55 to 150

Operating Junction Temperature Range

Electrical Characteristics @ T_j=25^oC (unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Gate-Emitter Leakage Current

Collector-Emitter Leakage Current (Tj=25°C)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Gate Threshold Voltage

Total Gate Charge

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

V_GE=± 6V, V_CE=0V

I_GES

µA

V_CE=450V, V_GE=0V

V_GE=4.5V, I_CP=150A (Pulsed)

V_CE=V_GE, I_C=250uA

I_C=50A

I_CES

V_CE(sat)

V_GE(th)

Q_g

0.35

1.2

µs

64.5

V_CE=360V

Q_ge

Q_gc

t_d(on)

t_r

Gate-Emitter Charge

Gate-Collector Charge

Turn-on Delay Time

V_GE=5V

V_CC=225V

11.5

24.5

150

3.3

2227

200

I_C=50A

Rise Time

R_G=25Ω

t_d(off)

t_f

Turn-off Delay Time

V_GE=5V

Fall Time

V_GE=0V

C_ies

C_oes

C_res

Input Capacitance

V_CE=25V

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

f=1.0MHz

Rth_JA

Thermal Resistance Junction-Ambient

50 °C/W

Notes:

1.Surface mounted on 1 in²copper pad of FR4 board ; 125°C/W when mounted on min. copper pad.

9/21/2004 Rev.2.01

www.SiliconStandard.com

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