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SSM2603GY

更新时间： 2024-01-25 03:48:22

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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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SSM2603GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

SSM2603GY 数据手册

SSM2603GY

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

PRODUCT SUMMARY

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

65mΩ

-5.0A

Simple Drive Requirement

Small Package Outline

Surface Mount Device

SOT-26

DESCRIPTION

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-26 package is universally used for all commercial–industrial

applications.

Pb-free; RoHS-compliant

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Rating

Units

V_DS

V_GS

-20

±12

Gate-Source Voltage

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

-5

-4

-20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

THERMAL DATA

Symbol

Parameter

Thermal Resistance Junction-ambient³

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Max.

℃/W

11/29/2007 Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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