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SSM2603GY

更新时间： 2024-02-22 03:03:39

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5页	307K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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SSM2603GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

SSM2603GY 数据手册

SSM2603GY

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T_J=25^oC unless otherwise specified)

Symbol

BV_DSS

Parameter

Test Conditions

V_GS=0V, I_D=-250uA

Min. Typ. Max. Units

Drain-Source Breakdown Voltage

-20

-0.1

ΔBV_DSS/ΔT_j

Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, I_D=-1mA

V/℃

mΩ

R_DS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance²V_GS=-10V, I_D=-4.5A

V_GS=-4.5V, I_D=-4.2A

V_GS=-2.5V, I_D=-2.0A

120 mΩ

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

V_DS=V_GS, I_D=-250uA

V_DS=-5V, I_D=-2.8A

V_DS=-20V, V_GS=0V

V_DS=-16V, V_GS=0V

-0.5

-1.2

Forward Transconductance

Drain-Source Leakage Current (T=25^oC)

I_DSS

-1

Drain-Source Leakage Current (T=55^oC)

-10

I_GSS

Q_g

±12V

±100

Gate-Source Leakage

Total Gate Charge²

Gate-Source Charge

Gate-Drain ("Miller") Charge

Turn-on Delay Time²

Rise Time

V_GS

I_D=-4.2A

10.6

2.32

3.68

5.9

3.6

32.4

2.6

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

V_DS=-16V

V_GS=-4.5V

V_DS=-15V

I_D=-4.2A

t_d(off)

t_f

Turn-off Delay Time

Fall Time

R_G=6Ω,V_GS=-10V

R_D=3.6Ω

V_GS=0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

740 1200

V_DS=-15V

f=1.0MHz

167

126

SOURCE-DRAIN DIODE

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

V_SD

t_rr

Forward On Voltage²

Reverse Recovery Time²

Reverse Recovery Charge

I_S=-1.2A, V_GS=0V

I_S=-4.2A, V_GS=0V,

dI/dt=100A/µs

-1.2

27.7

Q_rr

Notes:

1.Pulse width limited by Max. junction temperature.

2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.

3.Surface mounted on 1 in²copper pad of FR4 board ; 156℃/W when mounted on min. copper pad.

11/29/2007 Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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