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SSM2603GY

更新时间： 2024-01-09 16:50:40

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5页	307K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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SSM2603GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

SSM2603GY 数据手册

SSM2603GY

f=1.0MHz

C _iss

1000

100

I _D= -4.2A

V _DS= -16V

65mΩ

C _oss

C _rss

Q _G, Total Gate Charge (nC)

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

100

Duty factor=0.5

0.2

0.1

1ms

0.05

P_DM

0.01

10ms

Single Pulse

0.01

Duty factor = t/T

100ms

Peak T_j= P_DMx R_thja+ T_a

R_thja= 156℃/W

0.1

T _A=25 ^oC

Single Pulse

0.001

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.1

100

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

t , Pulse Width (s)

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

V_DS

V_G

90%

Q_G

-4.5V

Q_GS

Q_GD

10%

V_GS

t_r

t_d(on)

t_d(off)t_f

Charge

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

11/29/2007 Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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