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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SS9014DTA
SS9014DTA PDF预览

SS9014DTA

更新时间： 2024-09-25 13:14:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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SS9014DTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.9
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.45 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：270 MHzBase Number Matches：1

SS9014DTA 数据手册

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SS9014  
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise  
•
•
•
High total power dissipation. (P =450mW)  
T
High h  
and good linearity  
FE  
Complementary to SS9015  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
45  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
450  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
45  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
=100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
=1mA, I =0  
B
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=50V, I =0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=5V, I =1mA  
60  
280  
0.14  
0.84  
0.63  
2.2  
1000  
0.3  
1.0  
0.7  
3.5  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Base Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
I
=100mA, I =5mA  
B
CE  
BE  
BE  
C
C
=100mA, I =5mA  
V
V
B
V
=5V, I =2mA  
0.58  
150  
CE  
C
C
V
=10V, I =0  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Figure  
V
=5V, I =10mA  
270  
0.9  
MHz  
dB  
T
CE  
C
NF  
V
=5V, I =0.2mA  
10  
CE  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
D
h
60 ~ 150  
100 ~ 300  
200 ~ 600  
400 ~ 1000  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, May 2002  
1234

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