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SS23SHE3_A/H

更新时间： 2024-09-15 19:52:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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SS23SHE3_A/H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：200 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SS23SHE3_A/H 数据手册

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SS22S, SS23S, SS24S  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DO-214AC (SMA)  
• Not recommended for PCB bottom side wave mounting  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
TYPICAL APPLICATIONS  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V  
40 A  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
VF at IF = 2.0 A  
0.517 V  
TJ max.  
Package  
150 °C  
DO-214AC (SMA)  
Single  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AC (SMA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Diode variations  
Base P/N-E3  
-
RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS22S  
22S  
SS23S  
23S  
30  
SS24S  
24S  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
20  
40  
V
A
2.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
40  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
T
J, TSTG  
-55 to +150  
Revision: 17-Jan-14  
Document Number: 89008  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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与SS23SHE3_A/H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS23SHE3_A/I VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 P
SS23SHE3_B/H VISHAY

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 		Rectifier Diode,
SS23SHE3_B/I VISHAY

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SS23S-M3 VISHAY

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 		Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
SS23S-M3/5AT VISHAY

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 		DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
SS23S-M3/61T VISHAY

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SS23-T3-LF WTE

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SS23-TP MCC

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SS23-TR30 TAITRON

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SS23-TR70 TAITRON

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