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SS10P3C-M3/87A

更新时间： 2024-11-28 20:44:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
DIODE 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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SS10P3C-M3/87A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.17
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.44 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SS10P3C-M3/87A 数据手册

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New Product  
SS10P3C, SS10P4C  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Schottky Barrier Rectifiers  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
eSMPTM Series  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency  
K
• Low thermal resistance  
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020  
• AEC-Q101 qualified  
2
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TO-277A (SMPC)  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
Anode 1  
K
Cathode  
Anode 2  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
30 V, 40 V  
200 A  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS compliant, and  
commercial grade  
Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS compliant, and  
automotive grade  
VRRM  
IFSM  
EAS  
20 mJ  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
VF at IF = 5 A  
TJ max.  
0.37 V  
150 °C  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling  
diodes, DC/DC converters and polarity protection  
application.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS10P3C  
S103C  
30  
SS10P4C  
S104C  
40  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
total device  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
per diode  
10  
5.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 2 A per diode  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Document Number: 89035  
Revision: 10-May-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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