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SS10P4CHE3/86A

更新时间： 2024-11-28 06:13:51

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威世 - VISHAY		/
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High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS10P4CHE3/86A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.44 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	200 A	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	5 A	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)

SS10P4CHE3/86A 数据手册

New Product

SS10P3C & SS10P4C

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020

• Solder dip 260 °C, 40 s

TO-277A (SMPC)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Anode 1

Cathode

Anode 2

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 5.0 A

V_RRM

30 V, 40 V

200 A

I_FSM

E_AS

20 mJ

_Fat I_F= 5 A

T_Jmax.

0.37 V

150 °C

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity

protection applications.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS10P3C

S103C

SS10P4C

S104C

UNIT

Device marking code

V_RRM

I_F(AV)

Maximum repetitive peak reverse voltage

total device

per diode

5.0

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed

on rated load per diode

I_FSM

200

E_AS

Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, I_AS= 2 A per diode

Operating junction and storage temperature range

°C

T_J,T_STG

- 55 to + 150

Document Number: 89035

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SS10P4CHM3_A/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN F
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