Datasheet > SS10P3HE3/86A

SS10P3HE3/86A

更新时间： 2024-11-28 19:47:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		PC 功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	105K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, TO-277A, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SS10P3HE3/86A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-277	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.63	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.49 V
JEDEC-95代码：	TO-277A	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	280 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SS10P3HE3/86A 数据手册

New Product

SS10P3 & SS10P4

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

eSMP^TMSeries

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TO-277A (SMPC)

Anode 1

Anode 2

Cathode

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

10 A

30 V, 40 V

280 A

V_RRM

I_FSM

E_AS

20 mJ

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

0.41 V

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

150 °C

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity

protection applications.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS10P3

S103

SS10P4

S104

UNIT

Device marking code

V_RRM

I_F(AV)

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

280

Non-repetitive avalanche energy at I_AS= 2 A, T_J= 25 °C

Operating junction and storage temperature range

E_AS

°C

T_J,T_STG

- 55 to + 150

Document Number: 88983

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SS10P3HE3/86A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SS10P3HE3/87A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, TO-277A, ROHS COM
SS10P3HG3/87A	VISHAY	获取价格	暂无描述
SS10P3HM3/86A	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
SS10P3HM3/87A	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
SS10P4	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS10P4_15	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
SS10P4C	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS10P4C_15	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
SS10P4C-E3/86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS10P4C-E3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

与SS10P3HE3/86A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SS10P3HE3/86A

SS10P3HE3/86A 技术参数

SS10P3HE3/86A 数据手册

与SS10P3HE3/86A相关器件

与SS10P3HE3/86A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SS10P3HE3/86A

SS10P3HE3/86A 技术参数

SS10P3HE3/86A 数据手册

与SS10P3HE3/86A相关器件

与SS10P3HE3/86A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？