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SPUX5N60S5

更新时间： 2024-12-01 19:51:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	49K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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SPUX5N60S5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.39	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	1.9 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3.8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPUX5N60S5 数据手册

SPUX5N60S5

SPDX5N60S5

Target data sheet

Cool MOS Power Transistor

• N-Channel

• Enhancement mode

• Ultra low gate charge

• Avalanche rated

• dv/dt rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

• 150°C operating temperature

Type

DS(on)

Marking

Package

Ordering Code

SPUX5N60S5 600 V 1.8 A

SPDX5N60S5

X5N60S5

P-TO251-3-1

P-TO252

3 Ω

Maximum Ratings , at T = 25 ° C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

1.8

1.1

T = 100 °C

3.6

Pulsed drain current , t = 1ms

D puls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

I = 1.8 A, V = 50 V, R = 25 Ω

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I = 1.8 A, V <V , di/dt = 100 A/µs,

DSS

= 150 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

tot

T = 25 °C

Operating temperature

-55 ...+150

-55 ... +150

55/150/56

°C

Storage temperature

stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group

04 / 1998

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPUX7N60S5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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