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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MTB30P06VT4G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK |
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| IRFU5305PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) |
|
| SPD30P06P | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPU30P06PG | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SPU31 | MPSIND |
获取价格 |
SPU31 SERIES |
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| SPU31102 | MPSIND |
获取价格 |
SPU31 SERIES |
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| SPU31103 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31104 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31105 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31106 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31107 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31108 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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| SPU31109 | MPSIND |
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SPU31 SERIES |
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