SPU31N05

更新时间： 2024-09-15 22:13:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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SIPMOS Power Transistor

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SPU31N05 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	31 A	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPU31N05 数据手册

SPD31N05

SPU31N05

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

• dv/dt rated

• 175°C operating temperature

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

V_DS

I_D

R_DS(on

)

SPD31N05

SPU31N05

55 V

31 A

0.04

P-TO252

P-TO251

Q67040 - S4121 - A2

Q67040 - S4113 - A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

T = 100 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

124

Avalanche energy, single pulse

I = 31 A, V = 25 V, R = 25

L = 291 µH, T = 25 °C

140

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

7.5

jmax

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I = 31 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs

= 175 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

30/Jan/1998

12 3 4 5 6 7 8

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