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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MTB30P06VT4G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK |
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| IRFU5305PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) |
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| SPU30P06P | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD30P06P G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPD30P06P_08 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement |
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| SPD30P06PBUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPD30P06P-E4-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPD30P06PG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement |
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| SPD30P06PG | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPD30P06PNTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPD31002 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SPD310030 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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