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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU5305PBF | INFINEON |
完全替代  |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) |
|
| MTB30P06VT4G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK |
|
| SPD30P06P | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SPD30P06PNTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SPD31002 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| SPD310030 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| SPD31008 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| SPD31008X2A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-257AA, 2 PIN |
|
| SPD31008X2C | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-257AA, 2 PIN |
|
| SPD31015 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| SPD3126 | SSDI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE 1.0 AMP 2.5 kV MIN Standard/ Fast / UltraFast Recovery Rectifier |
|
| SPD3126F | SSDI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE 1.0 AMP 2.5 kV MIN Standard/ Fast / UltraFast Recovery Rectifier |
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