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SP000100432

更新时间： 2024-11-11 21:09:35

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	686K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SP000100432 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

SP000100432 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

F4-75R12KS4

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 65°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

100

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

150

500

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,75

3,85

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

0,80

5,0

5,10

0,30

ꢀ

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,13

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,31

0,36

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,02

0,03

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

9,00

3,80

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

450

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,25 K/W

125 °C

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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