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SNJ54170J

更新时间: 2024-09-16 21:10:31
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 911K
描述
Standard SRAM, 4X4, CMOS, CDIP16,

SNJ54170J 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.88
JESD-30 代码:R-CDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.56 mm内存密度:16 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4X4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

SNJ54170J 数据手册

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