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Datasheet > 驱动程序和接口 > 显示驱动器> SN65512B
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SN65512B

更新时间： 2024-09-16 12:21:43
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德州仪器 - TI 显示器驱动
页数 文件大小 规格书
7页 116K
描述
VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVERS

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SN65512B 数据手册

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SLDS016A − DECEMBER 1985 − REVISED OCTOBER 1989  
DW OR N PACKAGE  
(TOP VIEW)  
• Each Device Drives 12 Lines  
• 60-V Output Voltage Swing Capability  
• 25-mA Output Source Current Capability  
• High-Speed Serially-Shifted Data Input  
• TTL-Compatible Inputs  
Q11  
Q12  
Q10  
Q9  
Q8  
Q7  
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
20  
19  
18  
17  
16  
STROBE  
SERIAL OUT  
DATA IN  
• Latches on All Driver Outputs  
CC2  
V
15 GND  
CC1  
description  
14  
13  
12  
11  
CLOCK  
Q6  
Q5  
Q4  
Q3  
LATCH ENABLE  
The SN65512B and SN75512B are monolithic  
†
Q1  
Q2  
BIDFET integrated circuits designed to drive a  
dot matrix or segmented vacuum fluorescent  
display.  
‡
logic symbol  
All device inputs are diode-clamped pnp inputs  
and assume a high logic level when open  
circuited. The nominal input threshold voltage is  
1.5 V. Outputs are totem-pole structures formed  
by an npn emitter-follower and double-diffused  
MOS (DMOS) transistors.  
TTL/VAC  
FLUOR DISPLAY  
8
3
LATCH ENABLE  
STROBE  
The device consists of a 12-bit shift register,  
12 latches, and 12 output AND gates. Serial data  
is entered into the shift register on the low-to-high  
transition of CLOCK. When high, LATCH ENABLE  
transfers the shift register contents to the outputs  
of the 12 latches. The active-low STROBE input  
enables all Q outputs. Serial data output from the  
shift register can be used to cascade shift  
registers. This output is not affected by LATCH  
ENABLE or STROBE.  
SRG12  
C1/  
7
5
CLOCK  
DATA IN  
9
10  
11  
12  
13  
14  
17  
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20  
1
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3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
Q1  
Q2  
Q3  
Q4  
The SN65512B is characterized for operation  
from −40°C to 85°C. The SN75512B is  
characterized for operation from 0°C to 70°C.  
Q5  
Q6  
Q7  
Q8  
Q9  
Q10  
Q11  
2
Q12  
4
SERIAL OUT  
‡
This symbol is in accordance with ANSI/IEEE Std 91-1984  
and IEC Publication 617-12.  
†BIDFET − Bipolar, double-diffused, N-channel and P-channel MOS transistors on same chip. This is a patented process.  
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Copyright 1989, Texas Instruments Incorporated  
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4−3  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
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