SMG5C60F

更新时间： 2024-11-18 21:54:39

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描述
THYRISTOR(Through Hole/Isolated)

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SMG5C60F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1.4 V
最大漏电流：	2 mA	通态非重复峰值电流：	80 A
最大通态电流：	5000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

SMG5C60F 数据手册

(

)

THYRISTOR Through Hole/Isolated

SMG5C60F

Thyristor SMG5C60F is designed for full wave AC control applications.

TO-220F

It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

10.5±0.3

4.7±0.2

2.7±0.2

Typical Applications

●

Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications

●

Industrial Use

: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater

Controls, other control applications

2.6±0.2

0.60±0.15

Features

1.1±0.2

1.4±0.2

●

IT(AV)=5A

High Surge Current

Low Voltage Drop

Lead-Free Package

1 K

2 A

3 Gate

0.6±0.15

2.54±0.25

5.08±0.5

Unit：mm

Identifying Code：S5C6F

■Maximum Ratings

（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Symbol

Item

Reference

Ratings

600

720

600

Unit

VRRM

V^RSM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Off-State Voltage

Average On-State Current

R.M.S. On-State Current

Surge On-State Current

V^DRM

IT（AV）

IT（RMS）

I^TSM

Single phase, half wave, 180°, conduction, Tc＝96℃

50Hz/60Hz, ¹／ cycle Peak value, non-repetitive

7.8

80 88

I t

A S

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current

G（AV）

0.5

I^FGM

VFGM

VRGM

V^ISO

Peak Gate Voltage（Forward）

Peak Gate Voltage（Reverse）

Isolation Breakdown（R.M.S.）

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

A.C 1minute

1500

－40～＋125

－40～＋150

℃

Tstg

Mass

■Electrical Characteristics

Ratings

Symbol

Item

Reference

Unit

Min.

Typ.

Max.

IDRM

I^RRM

V^TM

IGT

Repetitive Peak Off-State Current

Repetitive Peak Reverse Current

Peak On-State Voltage

Gate Trigger Current

Gate Trigger Voltage

Non-Trigger Gate Voltage

Holding Current

Tj＝125℃, V^D

＝

V^DRM

Tj＝125℃, VR

＝

VRRM

1.5

1.4

I^T＝15

V^D＝6

Tj＝125℃, V^D

Inst. measurement

R^L＝10

V^GT

V^GD

0.2

＝

／V^DRM

（

）

Rth j-c

Thermal Resistance

Junction to case

℃ W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMG5C60F2	SANREX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
SMG5C60H	SANREX	获取价格	THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated)
SMG5D60C	SANREX	获取价格	THYRISTOR(Through Hole/Non-isolated)
SMG5D60D	SANREX	获取价格	THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated)
SMG6.3VB331M6X11LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 6.3V, 330uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SMG6.3VB472M12X20LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 6.3V, 4700uF, THROUGH HOLE MOUNT,
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SMG63VB10RM5X11LL	CHEMI-CON	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 63V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD

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