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SMG04C60

更新时间： 2024-11-04 21:55:47
品牌 Logo 应用领域
SANREX /
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
THYRISTOR

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SMG04C60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
最大直流栅极触发电流：0.1 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大漏电流：0.5 mA通态非重复峰值电流：9 A
最大通态电流：400 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SMG04C60 数据手册

 浏览型号SMG04C60的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR  
SMG04C60  
Thyristor SMG04C60 is designed for full wave AC, DC control  
TO92  
applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.  
5.0±0.2  
4.0±0.2  
Typical Applications  
●
Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL  
●
Industrial Use  
: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls  
2.3±0.2  
3
2
1
Features  
●
●
●
IT(AV)=0.4A  
High Surge Current  
Low Voltage Drop  
+0.2  
+0.2  
0.45-0.1  
0.45-0.1  
1 Gate  
2 A  
3 K  
1
2
3
+0.6  
+0.6  
2.50-0.2  
2.50-0.2  
Unit：mm  
Identifying Code：  
S04C6  
■Maximum Ratings  
（Tj=25℃ unless otherwise specified）  
Symbol  
Item  
Reference  
Ratings  
600  
Unit  
V
VRRM  
VRSM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
720  
V
VDRM  
IT（AV）  
IT（RMS）  
ITSM  
600  
V
0.4  
A
Single phase, half wave, 180°, conduction, Ta＝55℃  
Single phase, half wave, 180°, conduction, Ta＝55℃  
50/60Hz, 1／ cycle Peak value, non-repetitive  
0.63  
A
A
9.1 10  
/
2
2
2
2
I t  
I t  
0.4  
A S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
0.5  
W
W
A
G（AV）  
P
0.1  
IFGM  
VFGM  
VRGM  
Tj  
0.3  
6
6
V
Peak Gate Voltage（Forward）  
Peak Gate Voltage（Reverse）  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
－40～＋125  
－40～＋125  
0.2  
℃
℃
g
Tstg  
Mass  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Reference  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.5  
IDRM  
IRRM  
VTM  
IGT  
Repetitive Peak Off-State Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
Peak On-State Voltage  
Gate Trigger Current  
Gate Trigger Voltage  
Non-Trigger Gate Voltage  
Holding Current  
mA  
mA  
V
Tj＝125℃, VD  
＝
VDRM  
VRRM  
,
RGK＝1k  
Ω
Ω
0.5  
Tj＝125℃, VR  
＝
,
RGK＝1k  
1.2  
IT＝1.2  
VD＝6  
A
,
, Inst. measurement  
100  
0.8  
μA  
V
V
RL＝100Ω  
VGT  
VGD  
IH  
1
0.2  
V
Tj＝125℃, VD  
＝
／VDRM  
,
RGK＝1kΩ  
2
300  
μA  
（
）
Rth j-a  
Thermal Resistance  
Junction to ambient  
150  
℃ W  
/
12

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