SMBJP6KE11A-TP

更新时间： 2024-11-01 13:13:39

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美微科 - MCC		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	408K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

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SMBJP6KE11A-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.5
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	11.6 V	最小击穿电压：	10.5 V
击穿电压标称值：	11 V	最大钳位电压：	15.6 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	9.4 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SMBJP6KE11A-TP 数据手册

SMBJP6KE6.8(C)A

THRU

SMBJP6KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

600 Watt

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space

• Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

ꢀ Low inductance

ꢀ Excellent clamping capability

ꢀ UL Recognized File # E331408

DO-214AA

(SMBJ) (LEAD FRAME)

Mechanical Data

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

ꢀ

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

ꢀ

Maximum soldering temperature: 260^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

Peak Pulse Power

Dissipation

Peak Forward Surge

Current

I_PP

See Table 1 Note: 2

P_PP

600W

100A

Note: 2,

I_FSM)

Note: 3

DIMENSIONS

-55^oC to

+150^oC

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

INCHES

MIN

4.06

3.30

0.15

0.76

5.08

2.00

1.91

DIM

MAX

.185

.155

.012

.060

.220

.096

.087

.008

MAX

4.70

3.94

0.31

1..52

5.59

2.44

2.21

0.203

NOTE

.160

.130

.006

.030

.200

.079

.075

.002

NOTES:

1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

0.05

2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.106"

0.082”

0.050”

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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与SMBJP6KE11A-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJP6KE11A-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE11ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE11CA	MCC	获取价格	Transient Voltage Suppressor 6.8 to 550 Volts 600 Watt
SMBJP6KE11CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CAHE3-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CAP	MCC	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppresso
SMBJP6KE11CAQ	MCC	获取价格	Tape :3K/Reel, 48K/Ctn;
SMBJP6KE11CA-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CA-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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