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SMBJP6KE11CAHE3-TP

更新时间： 2024-11-02 08:47:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 566K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

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SMBJP6KE11CAHE3-TP 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.35
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED最大击穿电压：11.6 V
最小击穿电压：10.5 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性：BIDIRECTIONAL参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：9.4 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL

SMBJP6KE11CAHE3-TP 数据手册

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M C C  
SMBJP6KE6.8(C)AHE3  
THRU  
SMBJP6KE550(C)AHE3  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
Halogen free  
·
Transient  
Voltage Suppressor  
6.8 to 550 Volts  
600 Watt  
ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space  
ꢀ Available in both unidirectional and bidirectional construction  
and suffix"C" designates bidirectional type  
ꢀ Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to  
VBR minimum  
ꢀ Low inductance  
ꢀ Meet AEC-Q101 Requirement  
ꢀ Excellent clamping capability  
ꢀ UL Recognized File # E331408  
DO-214AA  
(SMBJ) (LEAD FRAME)  
Mechanical Data  
ꢀ
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
A
ꢀ Moisture Sensitivity Level 1  
ꢀ Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
ꢀ Manufacturing code added for better tracking  
ꢀ Polarity: Color band denotes positive end (cathode)  
B
except Bidirectional  
ꢀ
Maximum soldering temperature: 260oC for 10 seconds  
C
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
F
H
Peak Pulse Current on  
10/1000us waveform  
Peak Pulse Power  
Dissipation  
Operation And Storage TJ, TSTG  
Temperature Range  
Thermal Resistance  
IPP  
See Table 1 Note: 2  
D
G
PPP  
600W  
Note: 2,  
E
-55oC to  
+175oC  
25O C/W  
20OC/W  
DIMENSIONS  
RthJC  
RthJL  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
4.06  
3.30  
0.15  
0.76  
5.08  
2.00  
1.91  
DIM  
A
MAX  
.185  
.155  
.012  
.060  
.220  
.096  
.087  
.008  
MAX  
4.70  
3.94  
0.31  
1..52  
5.59  
2.44  
2.21  
0.203  
NOTE  
.160  
.130  
.006  
.030  
.200  
.079  
.075  
.002  
B
C
D
E
F
NOTES:  
1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.  
G
H
0.05  
2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above  
TA=25oC per Fig.2.  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.106"  
0.082”  
0.050”  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2015/03/31  
1 of 5  
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与SMBJP6KE11CAHE3-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJP6KE11CAP MCC

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 		DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppresso
SMBJP6KE11CAQ MCC

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 		Tape :3K/Reel, 48K/Ctn;
SMBJP6KE11CA-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CA-TP-HF MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CE3TR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE11C-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE11E3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE11E3TR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE11-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,

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