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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> SMBJP6KE11CA-TP
SMBJP6KE11CA-TP PDF预览

SMBJP6KE11CA-TP

更新时间： 2024-11-01 13:13:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 408K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

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SMBJP6KE11CA-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：1.5
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED最大击穿电压：11.6 V
最小击穿电压：10.5 V击穿电压标称值：11 V
最大钳位电压：15.6 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：9.4 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SMBJP6KE11CA-TP 数据手册

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SMBJP6KE6.8(C)A  
THRU  
SMBJP6KE550(C)A  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
Transient  
Voltage Suppressor  
6.8 to 550 Volts  
600 Watt  
ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space  
• Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to  
VBR minimum  
ꢀ Low inductance  
ꢀ Excellent clamping capability  
ꢀ UL Recognized File # E331408  
DO-214AA  
(SMBJ) (LEAD FRAME)  
Mechanical Data  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
A
ꢀ Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
ꢀ
Polarity: Color band denotespositive end (cathode)  
except Bidirectional  
B
ꢀ
Maximum soldering temperature: 260oC for 10 seconds  
C
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
F
H
Peak Pulse Current on  
10/1000us waveform  
Peak Pulse Power  
Dissipation  
Peak Forward Surge  
Current  
IPP  
See Table 1 Note: 2  
D
G
PPP  
600W  
100A  
Note: 2,  
E
IFSM)  
Note: 3  
DIMENSIONS  
-55oC to  
+150oC  
Operation And Storage TJ, TSTG  
Temperature Range  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
4.06  
3.30  
0.15  
0.76  
5.08  
2.00  
1.91  
DIM  
A
MAX  
.185  
.155  
.012  
.060  
.220  
.096  
.087  
.008  
MAX  
4.70  
3.94  
0.31  
1..52  
5.59  
2.44  
2.21  
0.203  
NOTE  
.160  
.130  
.006  
.030  
.200  
.079  
.075  
.002  
B
C
D
NOTES:  
E
1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.  
F
G
H
0.05  
2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above  
TA=25oC per Fig.2.  
3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute  
maximum.  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.106"  
0.082”  
0.050”  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 5  
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与SMBJP6KE11CA-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJP6KE11CA-TP-HF MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE11CE3TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE11C-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE11E3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE11E3TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE11-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE11-TP-HF MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE11TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE12 ETC

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 		Transient Voltage Suppressor

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