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SMB10J11A-M3/52

更新时间： 2024-09-15 19:57:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor

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SMB10J11A-M3/52 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.72
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压：13.5 V
最小击穿电压：12.2 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：1000 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：11 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SMB10J11A-M3/52 数据手册

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SMB10(8)J5.0(C)A thru SMB10(8)J40(C)A  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
®
High Power Density Surface Mount TRANSZORB  
Transient Voltage Supressors  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Available in uni-directional and bi-directional  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DO-214AA (SMB)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLCIATIONS  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and lighting  
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,  
computer, industrial, and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
VWM  
5.0 V to 40 V  
P
PPM (uni-directional)  
1000 W  
800 W  
100 A  
MECHANICAL DATA  
P
PPM (bi-directional)  
Case: DO-214AC (SMA)  
I
FSM (uni-directional only)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
TJ max.  
150 °C  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS compliant, and  
commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: For uni-directional types the color band denotes  
cathode end, no marking on bi-directional types  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
1000  
UNIT  
uni-directional  
bi-directional  
(1)(2)  
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (fig. 1)  
PPPM  
W
800  
(1)  
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform  
IPPM  
See next table  
100  
A
A
(2)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only  
Operating junction and storage temperature range  
IFSM  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Notes  
(1)  
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above TA = 25 °C per fig. 2.  
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal  
(2)  
Revision: 13-Mar-12  
Document Number: 89424  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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