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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> SMAJP4KE200A-TP
SMAJP4KE200A-TP PDF预览

SMAJP4KE200A-TP

更新时间： 2024-01-15 00:42:01
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 293K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

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SMAJP4KE200A-TP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214BA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.48
最大击穿电压：220 V最小击穿电压：180 V
击穿电压标称值：200 V最大钳位电压：287 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.52 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：162 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SMAJP4KE200A-TP 数据手册

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SMAJP4KE6.8(C)A  
THRU  
SMAJP4KE550(C)A  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize  
Transient  
Voltage Suppressor  
6.8 to 550 Volts  
boar d space  
ꢀ Low profile package  
ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to  
400 Wꢀ att  
VBR minimum  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
·
ꢀ
DO-214AC  
ꢀ UL Recognized File # E331408  
ꢀ
(SMAJ)(LEAD FRAME)  
H
ꢀ
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
CASE: JEDEC DO-214AC  
J
Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotespositive end (cathode)  
except Bidirectional  
Maximum soldering temperature: 250oC for 10 seconds  
A
C
ꢀ
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
E
D
B
F
Peak Pulse Current on  
10/1000us waveform  
IPP  
See Table 1 Note: 1  
G
Peak Pulse Power  
PPP  
400W  
40A  
Note: 1,  
Note: 3  
DIMENSIONS  
Dissipation  
INCHES  
MIN  
.079  
.050  
.002  
---  
MM  
MIN  
2.00  
1.27  
.05  
DIM  
A
MAX  
MAX  
2.44  
1.63  
.20  
NOTE  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM)  
.096  
.064  
.008  
.02  
B
C
D
E
---  
.51  
-55oC to  
+150oC  
.030  
.065  
.189  
.157  
.090  
.060  
.091  
.220  
.181  
.115  
.76  
1.52  
2.32  
5.59  
4.60  
2.92  
Operation And Storage TJ, TSTG  
Temperature Range  
F
1.65  
4.80  
4.00  
2.25  
G
H
J
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.090”  
MAX  
0.058 ”  
MIN  
NOTES:  
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above  
TA=25oC per Fig.2.  
2. Mounted on 5.0mm2 copper pads to each terminal.  
3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute  
maximum.  
0.070"  
MIN  
www.mccsemi.com  
1 of 5  
Revision: B  
2011/09/16  
12345

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SMAJP4KE200A-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P4SMA200A BOURNS

功能相似

 Transient Voltage Suppressor Diode Series
P4SMA200A-E3/61 VISHAY

功能相似

 DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2
P4SMA200A LITTELFUSE

功能相似

 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors

与SMAJP4KE200A-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMAJP4KE200ATR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE200CA MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 171V V(RWM), Bidirectional,
SMAJP4KE200CA MCC

获取价格

 		Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE200CAE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE200CAE3TR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE200CAHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE200CA-HF MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMAJP4KE200CAP MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE200CAQ MCC

获取价格

 		Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE200CE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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