是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-214BA |
包装说明: | R-PDSO-C2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最大击穿电压: | 21 V |
最小击穿电压: | 19 V | 击穿电压标称值: | 20 V |
最大钳位电压: | 27.7 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AC | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 400 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.52 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 17.1 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMAJP4KE20AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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SMAJP4KE20AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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SMAJP4KE20AHE3 | MCC |
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Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn; |
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SMAJP4KE20A-HF | MCC |
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暂无描述 |
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SMAJP4KE20AP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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SMAJP4KE20AQ | MCC |
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Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn; |
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SMAJP4KE20A-TP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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SMAJP4KE20A-TP-HF | MCC |
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暂无描述 |
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SMAJP4KE20ATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 17.1V V(RWM), Unidirectional, |
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SMAJP4KE20CA | MCC |
获取价格 |
Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn; |
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