SM6T18CAY

更新时间： 2024-11-25 13:13:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		瞬态抑制器二极管
页数	文件大小	规格书
5页	188K
描述
Automotive 600 W TVS in SMB

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SM6T18CAY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.47
最大击穿电压：	18.9 V	最小击穿电压：	17.1 V
击穿电压标称值：	18 V	最大钳位电压：	32.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性：	BIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	15.3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	60	Base Number Matches：	1

SM6T18CAY 数据手册

SM6T6V8A/220A

SM6T6V8CA/220CA

TRANSIL^TM

FEATURES

■

PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs)

■

BREAKDOWN VOLTAGE RANGE :

From 6.8V to 220 V.

■

UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES

LOW CLAMPING FACTOR

FAST RESPONSE TIME

UL RECOGNIZED

DESCRIPTION

SMB

(JEDEC D0-214AA)

Transil diodes provide high overvoltage protection

by clamping action. Their instantaneous response

to transient overvoltages makes them particu-

larly suited to protect voltage sensitive devices

such as MOS Technology and low voltage sup-

plied IC’s.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25°C)

Symbol

P_PP

Parameter

Peak pulse power dissipation (see note 1)

Power dissipation on infinite heatsink

Value

600

Unit

Tj initial = T_amb

_{amb =}50°C

I_FSM

Non repetitive surge peak forward

current for unidirectional types

tp = 10ms

Tj initial = T_amb

100

T_stg

T_j

Storage temperature range

Maximum junction temperature

- 65 to + 175

150

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering during 10 s.

260

°C

Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.

THERMAL RESISTANCES

Symbol

R_{th (j-l)}

Parameter

Value

Unit

°C/W

Junction to leads

R_{th (j-a)}

Junction to ambient on printed circuit on recommended pad

layout

100

August 2001- Ed: 5A

1/5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

SM6T18CAY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SM6T18CA	STMICROELECTRONICS	完全替代	TRANSILTM

与SM6T18CAY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM6T200A	VISHAY	获取价格	TRANSZORB⑩ SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SU
SM6T200A	MDE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SM6T200A	SUNMATE	获取价格	600W patch TVS transient suppression diode SMB 200V
SM6T200A	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSILTM
SM6T200A/2-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient
SM6T200A/5	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM6T200A/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient
SM6T200A/52-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient
SM6T200A/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 171V V(RWM), Unidirectional,
SM6T200A/CA	STMICROELECTRONICS	获取价格	TransilTM

与SM6T18CAY相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM6T18CAY

SM6T18CAY 技术参数

SM6T18CAY 数据手册

SM6T18CAY 替代型号

与SM6T18CAY相关器件

与SM6T18CAY相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM6T18CAY

SM6T18CAY 技术参数

SM6T18CAY 数据手册

SM6T18CAY 替代型号

与SM6T18CAY相关器件

与SM6T18CAY相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？