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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 157K |  |
| 描述 | ||
| TransilTM | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
| 最大击穿电压： | 210 V | 最小击穿电压： | 190 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 171 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SM6T200A-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient |
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| SM6T200A-E3/51 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| SM6T200A-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 171V 274V DO214AA |
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| SM6T200A-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 |
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| SM6T200AHE3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 171V 274V DO214AA |
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| SM6T200A-HE3/52 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 |
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| SM6T200A-HE3/5B | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 |
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| SM6T200AHE3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
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| SM6T200AHM3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
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| SM6T200A-M3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 171V 274V DO214AA |
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